FDN358P

制造商: ONSEMI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

价格梯度 价格
1+¥2.3800
10+¥1.9200
30+¥1.7200
100+¥1.4800
包装:1 库存:225