18N10W

制造商: GOFORD 供应商:

分类: MOS(场效应管)

描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.9V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：47W(Tc) 类型：N沟道