物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 300mW |
| 原始制造商: | BORN SEMICONDUCTOR |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 160V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | NPN |
| 跃迁频率: | 100MHz |
| 集电极与基极之间电压 VCBO: | 180V |
| 长x宽/尺寸: | 2.90 x 1.30mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT23 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 集电极-发射极电压 VCEO: | 160V |
| 集电极电流 Ic: | 600mA |
| 原产国家: | China |
| DC电流增益(hFE)(Min&Range): | 100 |
| 发射极与基极之间电压 VEBO: | 6V |
| Vce饱和压降(Max): | 200mV |
| 晶体管类型: | NPN |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0794 |
| 包装：1 | 库存：250 |