CMLDM3737TR

制造商: 供应商:

分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

Datasheet:

描述: 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 540mA 350mW 表面贴装 SOT-563

物料参数

类别:分立半导体产品
制造商:Central Semiconductor Corp
系列:-
包装:Digi-Reel®
零件状态:在售
FET类型:2 个 N 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):540mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.58nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):150pF @ 16V
功率-最大值:350mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563