MMBT5551

制造商: GOODWORK 供应商:

分类: 三极管(BJT)

Datasheet:

描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,5V

物料参数

安装类型:	SMT
功率耗散:	300mW
原始制造商:	Shenzhen Goodwork Electronics Co.,ltd.
包装:	Tape/reel
集射极击穿电压Vce(Max):	160V
跃迁频率:	100MHz
集电极与基极之间电压 VCBO:	180V
长x宽/尺寸:	3.00 x 1.40mm
封装/外壳:	SOT23-3L
元件生命周期:	Active
工作温度:	+150℃
集电极电流 Ic:	600mA
集电极-发射极电压 VCEO:	160V
最小包装:	3000pcs
DC电流增益(hFE)(Min&Range):	10
发射极与基极之间电压 VEBO:	5V
Vce饱和压降(Max):	300mV
高度:	1.15mm
零件状态:	Active
引脚数:	3Pin