物料参数
| 制造商: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 13 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17.9nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1810pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 1.5W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-TSSOP |
无库存