物料参数
| 制造商: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 系列: | - |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 39A（Ta），85A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.9V @ 250µA |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 6.2W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 37.5 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2150 pF @ 15 V |