BYG20JR3G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR(台湾半导体) 供应商:

分类: 二极管 - 整流器 - 单

Datasheet:

描述: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

物料参数

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation
系列:-
包装:卷带(TR)
零件状态:有源
二极管类型:标准
电流 - 平均整流 (Io):1.5A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr、F 时电容:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:DO-214AC,SMA
供应商器件封装:DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V
反向恢复时间 (trr):75ns
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.4V @ 1.5A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V