物料参数
| 制造商: | Sanken |
| 系列: | - |
| 零件状态: | 有源 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 85A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.7 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1.5mA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 135W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-263 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 90.6 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6210 pF @ 25 V |