物料参数
| 制造商: | Microsemi Corporation |
| 系列: | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停產 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 420 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 800mW（Ta），25W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 18-ULCC（9.14x7.49） |
| 封装/外壳: | 18-CLCC |
| 通知: | QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。 |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 42.07 nC @ 10 V |