| Categoríadeproducto: | MOSFET |
| Fabricante: | GaNSystems |
| Tecnología: | GaN |
| Estilodemontaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Cubierta: | GaNPX-4 |
| Polaridaddeltransistor: | N-Channel |
| Vds-Tensióndisruptivaentredrenajeyfuente: | 650V |
| Id-Corrientededrenajecontinua: | 30A |
| RdsOn-Resistenciaentredrenajeyfuente: | 55mOhms |
| Vgsth-Tensiónumbralentrepuertayfuente: | 1.6V |
| Vgs-Tensiónentrepuertayfuente: | 10V |
| Qg-Cargadepuerta: | 6.5nC |
| Temperaturadetrabajomínima: | -55C |
| Temperaturadetrabajomáxima: | +150C |
| Modocanal: | Enhancement |
| Empaquetado: | Tray |
| Marca: | GaNSystems |
| Altura: | 0.51mm |
| Longitud: | 10.05mm |
| MoistureSensitive: | Yes |
| Producto: | MOSFET |
| Serie: | GS66508 |
| Cantidaddeempaquedefábrica: | 100 |
| Ancho: | 8.68mm |
