| Categoríadeproducto: | Transistoresbipolaresderadiofrecuencia(RF) |
| Fabricante: | AdvancedSemiconductor,Inc. |
| Tipodetransistor: | Bipolar |
| Tecnología: | Si |
| Polaridaddeltransistor: | NPN |
| ColectorDC/GananciaBasehfeMínima: | 5 |
| Máx.voltajeVCEOcolector-emisor: | 20V |
| VoltajeVEBOemisor-base: | 2V |
| Corrientecontinuadelcolector: | 400mA |
| Temperaturadetrabajomínima: | -65C |
| Temperaturadetrabajomáxima: | +200C |
| Estilodemontaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Cubierta: | SOIC-8 |
| Empaquetado: | Bulk |
| Marca: | AdvancedSemiconductor,Inc. |
| Frecuenciadetrabajo: | 200MHz |
| Dp-Disipacióndepotencia: | 1.5W |
| Cantidaddeempaquedefábrica: | 500 |
| Tipo: | RFBipolarSmallSignal |
| Pesodelaunidad: | 540mg |
