| Categoríadeproducto: | Transistoresbipolaresderadiofrecuencia(RF) |
| Fabricante: | AdvancedSemiconductor,Inc. |
| Tipodetransistor: | BipolarPower |
| Tecnología: | Si |
| Polaridaddeltransistor: | NPN |
| ColectorDC/GananciaBasehfeMínima: | 10 |
| Máx.voltajeVCEOcolector-emisor: | 35V |
| VoltajeVEBOemisor-base: | 2.5V |
| Corrientecontinuadelcolector: | 10A |
| Temperaturadetrabajomáxima: | +200C |
| Estilodemontaje: | Screw |
| Paquete/Cubierta: | SOT-123 |
| Empaquetado: | Tray |
| Marca: | AdvancedSemiconductor,Inc. |
| Temperaturadetrabajomínima: | -65C |
| Frecuenciadetrabajo: | 30MHz |
| Dp-Disipacióndepotencia: | 250W |
| Tipo: | RFBipolarPower |
