物料参数
| Categoríadeproducto: | MOSFET |
| Fabricante: | GaNSystems |
| Tecnología: | GaN |
| Estilodemontaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Cubierta: | GaNPX-4 |
| Polaridaddeltransistor: | N-Channel |
| Vds-Tensióndisruptivaentredrenajeyfuente: | 100V |
| Id-Corrientededrenajecontinua: | 90A |
| RdsOn-Resistenciaentredrenajeyfuente: | 7.4mOhms |
| Vgsth-Tensiónumbralentrepuertayfuente: | 1.6V |
| Vgs-Tensiónentrepuertayfuente: | 10V |
| Qg-Cargadepuerta: | 16nC |
| Modocanal: | Enhancement |
| Empaquetado: | Tray |
| Marca: | GaNSystems |
| MoistureSensitive: | Yes |
| Serie: | GS61008 |