物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Diodes Incorporated |
| 系列: | - |
| 包装: | 带卷（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | NPN - 预偏压 |
| 电流-集电极（Ic）（最大值）: | 100mA |
| 电压-集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器-基底（R1）（欧姆）: | - |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: | 22k |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: | 56 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流-集电极截止（最大值）: | 500nA（ICBO） |
| 频率-跃迁: | 250MHz |
| 功率-最大值: | 200mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3 |