物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 家庭: | FET - 单 |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 管件 |
| FET类型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET功能: | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 20V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 8.6A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 15 毫欧 @ 8.6A，4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: | 89nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）: | 4300pF @ 15V |
| 功率-最大值: | 1.5W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-TSSOP |