物料参数
| 制造商: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Ta），14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 68 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.9V @ 250µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta），30W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 390 pF @ 50 V |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 2500+ | ¥0.2231 |
| 5000+ | ¥0.2113 |
| 12500+ | ¥0.1957 |
| 25000+ | ¥0.1938 |
| 包装：2500 | 库存：0 |