物料参数
| 视频文件: | MOSFET Technologies for Power Conversion |
| PCN组件/产地: | SIL-013-2014-Rev-1 17/Mar/2014 |
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 家庭: | FET - 单 |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| FET类型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET功能: | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 40V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 120A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 1.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: | 285nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）: | 14606pF @ 20V |
| 功率-最大值: | 375W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | TO-263 |
| 其它名称: | SQM120N04-1M7L-GE3-ND |