物料参数
通道类型: | N |
最大连续漏极电流: | 32 A |
最大漏源电压: | 100 V |
最大漏源电阻值: | 16 mΩ |
最大栅阈值电压: | 4V |
最小栅阈值电压: | 2V |
最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
封装类型: | TO-220F |
安装类型: | 通孔 |
晶体管配置: | 单 |
引脚数目: | 3 |
通道模式: | 增强 |
类别: | 功率 MOSFET |
最大功率耗散: | 46.1 W |
长度: | 10.3mm |
典型接通延迟时间: | 16 ns |
最高工作温度: | +175 °C |
高度: | 15.8mm |
每片芯片元件数目: | 1 |
晶体管材料: | Si |
最低工作温度: | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs: | 46.2 nC @ 10 V |
典型关断延迟时间: | 39 ns |
典型输入电容值@Vds: | 2404 pF @ 50 V |
尺寸: | 10.3 x 4.6 x 15.8mm |
宽度: | 4.6mm |