RQ5E035XNTCL

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分类: MOSFET 晶体管

Datasheet:

描述: 新产品ROHM RQ5E035XN 系列 N沟道 MOSFET RQ5E035XNTCL, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-346T封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:3.5 A
最大漏源电压:30 V
最大漏源电阻值:50 mΩ
最大栅阈值电压:2.5V
最小栅阈值电压:1V
最大栅源电压:±20 V
封装类型:SOT-346T
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
晶体管配置:
通道模式:增强
类别:功率 MOSFET
最大功率耗散:1 W
典型接通延迟时间:10 ns
最高工作温度:+150 °C
典型输入电容值@Vds:180 pF @ 10 V
系列:RQ5E035XN
高度:0.95mm
典型栅极电荷@Vgs:3.3 nC @ 5 V
典型关断延迟时间:25 ns
正向二极管电压:1.2V
尺寸:3 x 1.8 x 0.95mm
长度:3mm
宽度:1.8mm
每片芯片元件数目:1
最低工作温度:-55 °C