物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 120 A |
| 最大漏源电压: | 40 V |
| 最大漏源电阻值: | 1.9 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 4V |
| 最小栅阈值电压: | 2V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | I2PAK (TO-262) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 引脚数目: | 3 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 188 W |
| 高度: | 9.25mm |
| 系列: | OptiMOS T2 |
| 最高工作温度: | +175 °C |
| 长度: | 10mm |
| 尺寸: | 10 x 4.4 x 9.25mm |
| 晶体管材料: | Si |
| 典型接通延迟时间: | 34 ns |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 135 nC @ 10 V |
| 宽度: | 4.4mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 典型输入电容值@Vds: | 10770 pF @ 25 V |
| 典型关断延迟时间: | 41 ns |