物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 4 A |
| 最大漏源电压: | 650 V |
| 最大漏源电阻值: | 1.05 Ω |
| 最大栅阈值电压: | 5V |
| 最小栅阈值电压: | 3V |
| 最大栅源电压: | ±30 V |
| 封装类型: | TO-263S |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 3 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 58 W |
| 高度: | 4.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 10 nC @ 10 V |
| 典型关断延迟时间: | 30 ns |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 9.2mm |
| 典型接通延迟时间: | 16 ns |
| 系列: | R6504KNJ |
| 典型输入电容值@Vds: | 270 pF @ 25 V |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 正向二极管电压: | 1.5V |
| 长度: | 10.4mm |
| 尺寸: | 10.4 x 9.2 x 4.7mm |