物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 30 A |
| 最大漏源电压: | 200 V |
| 最大漏源电阻值: | 90 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 4V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | TO-3 |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 150 W |
| 高度: | 7.87mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 尺寸: | 39.95 x 26.67 x 7.87mm |
| 长度: | 39.95mm |
| 宽度: | 26.67mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 晶体管材料: | Si |
| 典型接通延迟时间: | 35 ns |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 典型关断延迟时间: | 170 ns |
| 典型输入电容值@Vds: | 3500 pF @ 25 V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 55 → 115 nC @ 10 V |