DMN3020UTS-13

制造商: 达尔 供应商:

分类: MOSFET

Datasheet:

描述: 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 12(状态)A,15(稳定)A, 8引脚 TSSOP封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:12(状态)A,15(稳定)A
最大漏源电压:30 V
封装类型:TSSOP
安装类型:表面贴装
引脚数目:8
最大漏源电阻值:50 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:1V
最小栅阈值电压:0.4V
最大功率耗散:1.4 W
晶体管配置:
最大栅源电压:±12 V
每片芯片元件数目:1
宽度:3.1mm
长度:4.5mm
正向二极管电压:1.2V
最低工作温度:-55 °C
汽车标准:AEC-Q101
高度:1.02mm
典型栅极电荷@Vgs:27 nC @ 8V
最高工作温度:+150 °C