物料参数
通道类型: | P |
最大连续漏极电流: | 4 A |
最大漏源电压: | 100 V |
封装类型: | TO-39 |
安装类型: | 通孔 |
引脚数目: | 3 |
最大漏源电阻值: | 690 mΩ |
通道模式: | 增强 |
最大栅阈值电压: | 4V |
最大功率耗散: | 20 W |
晶体管配置: | 单 |
最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目: | 1 |
最低工作温度: | -55 °C |
宽度: | 9.4mm |
典型栅极电荷@Vgs: | 16.3 nC @ 10 V |
长度: | 9.4mm |
最高工作温度: | +150 °C |
高度: | 4.57mm |
晶体管材料: | Si |