物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 4 A |
| 最大漏源电压: | 65 V |
| 封装类型: | DP |
| 安装类型: | 面板安装 |
| 引脚数目: | 3 |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 7V |
| 最大功率耗散: | 42 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 6.35mm |
| 高度: | 5.08mm |
| 系列: | TetraFET |
| 最高工作温度: | +200 °C |
| 晶体管材料: | Si |
| 长度: | 18.92mm |
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 4 A |
| 最大漏源电压: | 65 V |
| 封装类型: | DP |
| 安装类型: | 面板安装 |
| 引脚数目: | 3 |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 7V |
| 最大功率耗散: | 42 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 6.35mm |
| 高度: | 5.08mm |
| 系列: | TetraFET |
| 最高工作温度: | +200 °C |
| 晶体管材料: | Si |
| 长度: | 18.92mm |