物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 6 A |
| 最大漏源电压: | 125 V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | DA |
| 安装类型: | 螺丝安装 |
| 引脚数目: | 4 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 射频 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 87 W |
| 长度: | 24.76mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 最高工作温度: | +200 °C |
| 尺寸: | 24.76 x 6.35 x 6.6mm |
| 高度: | 6.6mm |
| 典型输入电容值@Vds: | 120 pF @ 50 V |
| 宽度: | 6.35mm |
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 6 A |
| 最大漏源电压: | 125 V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | DA |
| 安装类型: | 螺丝安装 |
| 引脚数目: | 4 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 射频 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 87 W |
| 长度: | 24.76mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 最高工作温度: | +200 °C |
| 尺寸: | 24.76 x 6.35 x 6.6mm |
| 高度: | 6.6mm |
| 典型输入电容值@Vds: | 120 pF @ 50 V |
| 宽度: | 6.35mm |