AGM30P10AP

制造商: AGMSEMI 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:AGMSEMI
功率耗散:37W
原始制造商:AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd.
阈值电压Vgs(th):1.3V
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:-23A
极性:P-Channel
漏源导通电阻 RDS(on):11mΩ
存储温度:-55~+150℃
封装/外壳:DFN3.3X3.3-8
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:237pF
输入电容(Ciss)(Max):1380pF
原产国家:China
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):-30V
工作温度(Tj):-55~+150℃(TJ)
零件状态:Active