MMBT5551

制造商: HXY MOSFET 供应商:

分类: 通用三极管

描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：200mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)