AGM4025Q

制造商: AGMSEMI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：110A功率(Pd）：73.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：22.7nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.90nF@20V ,Vds=40v Id=110A Rds=2.2mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)