AP8G04S

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分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：8.3A；6.3A 功率(Pd)：1.67W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,5A