物料参数
类别: | 分立半导体产品 |
制造商: | Taiwan Semiconductor Corporation |
系列: | - |
包装: | 带卷(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET类型: | P 沟道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
DraintoSourceVoltage(Vdss): | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时): | 2.8A(Tc) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): | 1.8V,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值): | 950mV @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): | 4.5nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): | 415pF @ 6V |
Vgs(最大值): | ±8V |
FET功能: | - |
功率耗散(最大值): | 900mW(Ta) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 100 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装 |
供应商器件封装: | SOT-23 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |