发货周期: 3-10 个工作日
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型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
FDN358P 场效应管(MOSFET)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

库存:200
包装:1
1: ¥2.5090
10: ¥2.0241
30: ¥1.8132
100: ¥1.5602
FDN358P 场效应管(MOSFET)
TECH PUBLIC

FDN358P

库存:6718
包装:5
5: ¥0.6051
50: ¥0.4870
150: ¥0.4280
500: ¥0.3837
3000: ¥0.3306
6000: ¥0.3129
发货周期: 6-10 工作日
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型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ONSEMI

库存:459
包装:3000
3000: ¥1.4256
6000: ¥1.3531
9000: ¥1.2564
30000: ¥1.2274
ONSEMI

库存:14
包装:1
1: ¥4.0417
10: ¥3.4396
100: ¥2.3912
500: ¥1.8671
1000: ¥1.5175
ONSEMI

库存:0
包装:1
1: ¥4.0421
10: ¥3.4399
100: ¥2.3914
500: ¥1.8673
1000: ¥1.5177
ONSEMI

库存:0
包装:3000
3000: ¥1.3565
6000: ¥1.2875
9000: ¥1.1956
30000: ¥1.1679
发货周期: 5-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ONSEMI

库存:2746
包装:1
1: ¥5.2330
10: ¥4.2178
100: ¥2.9723
500: ¥2.4176
1000: ¥1.9676
3000: ¥1.6850
ONSEMI

库存:2746
包装:1
1: ¥4.1763
10: ¥3.3661
100: ¥2.3721
500: ¥1.9294
1000: ¥1.5703
3000: ¥1.3448
发货周期: 7-10 个工作日
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型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ONSEMI

库存:0
包装:1
ONSEMI

库存:5728
包装:1
1: ¥5.1628
25: ¥4.4903
50: ¥3.8074
100: ¥3.1246
250: ¥2.7831
ONSEMI

库存:0
包装:1
ONSEMI

库存:0
包装:3000
3000: ¥1.6676
6000: ¥1.6231
12000: ¥1.5787
18000: ¥1.5342
24000: ¥1.4898
ONSEMI

库存:12000
包装:3000
3000: ¥1.6446
6000: ¥1.6002
12000: ¥1.5557
18000: ¥1.5113
24000: ¥1.4669
30000: ¥1.4223
300000: ¥1.3779
发货周期: 5-11 个工作日
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型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ONSEMI

库存:3000
包装:3000
3000: ¥1.3105
发货周期: 3-10 个工作日
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型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ONSEMI

库存:0
包装:3000
3000: ¥1.3940
9000: ¥1.3120
24000: ¥1.3120
45000: ¥1.2300
ONSEMI

库存:14904
包装:100
100: ¥2.4600
500: ¥1.9680
ONSEMI

库存:14904
包装:5
5: ¥4.2640
10: ¥3.4440
100: ¥2.4600
500: ¥1.9680
ONSEMI

库存:14904
包装:5
5: ¥3.2800