发货周期: 3-10 个工作日
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SSM3J14T
场效应管(MOSFET)
TOSHIBA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.7A 功率(Pd):700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,1.35A
库存:0
包装:1 |
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HXY MOSFET
型号SSM3J14T 的P沟道MOS管采用小型SOT-23-3L封装,适合于紧凑型电路设计。该器件具备出色电气性能,最大工作电压VDSS高达30V,可持续处理4.1A电流,适用中大型电流应用场景。其特色在于导通电阻RD(on)低至42mR,有助于降低功率损耗并提升能源使用效率。广泛应用于电源转换、负载开关、反向电流保护等功能模块,是工程师构建高效节能电子系统的重要组件。
库存:85
包装:5 |
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VBSEMI
库存:323
包装:5 |
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发货周期: 6-10 工作日
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发货周期: 7-10 个工作日
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TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS
库存:8748
包装:1 |
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