APM

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APM32F103CBT6
供应商: Anychip Mall
分类: 32位MCU微控制器
描述: 32位MCU微控制器 ARM Cortex-M3 LQFP48_7X7MM
安装类型: SMT 品牌: Geehy 原始制造商: Geehy Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tray 长x宽/尺寸: 7.00 x 7.00mm 封装/外壳: LQFP48 内存RAM容量: 20KB 原产国家: China 最小包装: 250pcs 主频速度(Max): 96MHz CPU内核: ARM Cortex-M3 高度: 1.60mm 引脚数: 48Pin
AP2300AI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:3.3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.3A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA
AP2300MI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: AP2300MI
AP5N10SI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):88mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
AP3407AI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.2A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.32W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
AP3407MI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: AP3407MI
AP4953A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 2个P沟道 耐压:30V 电流:7A 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
AP3404MI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:6A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
AP3404BI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:4.2A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
AP2302CI
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:2.3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):580mV@250uA