FAIRCHILD/ON SEMICONDUCTOR

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FGH40T65SPD_F085
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: 汽车级,AEC-Q101 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT类型: NPT Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 650V Current-Collector(Ic)(Max): 80A Current-CollectorPulsed(Icm): 120A 不同 Vge,Ic时的 Vce(on): 2.4V @ 15V,40A Power-Max: 267W 开关能量: 1.16MJ(开),270µJ(关) 输入类型: 标准 栅极电荷: 36nC 25°C时Td(开/关)值: 18ns/35ns 测试条件: 400V,40A,6 欧姆,15V 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247
FSB50550BS
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: Motion SPM® 5 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 三相反相器 电流: 3A 电压: 500V 电压-隔离: 1500Vrms 封装/外壳: 23-PowerSMD 模块,鸥翼型
FDMC86184
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: PowerTrench® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 100V 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 57A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 6V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 110µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 6V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 2090pF @ 50V Vgs(最大值): ±20V FET功能: - 功率耗散(最大值): 54W(Tc) 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 8.5 毫欧 @ 21A, 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 封装/外壳: 8-PowerWDFN
FEBFAN6982MY_CP20U350
供应商: DigiKey
分类: 评估板 -  DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS
类别: 开发板,套件,编程器 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: - 零件状态: 在售 主要用途: AC/DC,主面和辅面,带 PFC 输出和类型: 1,隔离 功率-输出: 350W 电压-输出: 387V 电流-输出: - 电压-输入: 90 ~ 264 VAC 稳压器拓扑: 回扫 频率-开关: 65kHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的IC/零件: FAN6982
NTP082N65S3F
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: * 零件状态: 在售
FCH040N65S3_F155
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: SuperFET® III 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 650V 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 65A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 6.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 136nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 4740pF @ 400V Vgs(最大值): ±30V FET功能: - 功率耗散(最大值): 417W(Tc) 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 40 毫欧 @ 32.5A, 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3
FGB40T65SPD_F085
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 IGBT类型: 沟槽型场截止 电压-集射极击穿(最大值): 650V 电流-集电极(Ic)(最大值): 80A 脉冲电流-集电极(Icm): 120A 不同 Vge,Ic时的 Vce(on): 2.4V @ 15V,40A 功率-最大值: 267W 开关能量: 970µJ(开),280µJ(关) 输入类型: 标准 栅极电荷: 36nC 25°C时Td(开/关)值: 18ns/35ns 测试条件: 400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间(trr): 34ns 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
FDMS86183
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: PowerTrench® 包装: 剪切带(CT) 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 100V 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 51A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 6V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 90µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC @ 6V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1515pF @ 50V Vgs(最大值): ±20V FET功能: - 功率耗散(最大值): 63W(Tc) 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 12.8 毫欧 @ 16A, 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-PQFN(5x6),Power56 封装/外壳: 8-PowerTDFN
FDMS86182
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: PowerTrench® 包装: 剪切带(CT) 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 100V 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 78A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 6V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC @ 6V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 2635pF @ 50V Vgs(最大值): ±20V FET功能: - 功率耗散(最大值): 83W(Tc) 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7.2 毫欧 @ 28A, 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-PQFN(5x6),Power56 封装/外壳: 8-PowerTDFN
FGH50T65SQD_F155
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: - 零件状态: 在售 IGBT类型: 沟槽型场截止 电压-集射极击穿(最大值): 650V 电流-集电极(Ic)(最大值): 100A 脉冲电流-集电极(Icm): 200A 不同 Vge,Ic时的 Vce(on): 2.1V @ 15V,50A 功率-最大值: 268W 开关能量: 180µJ(开),45µJ(关) 输入类型: 标准 栅极电荷: 99nC 25°C时Td(开/关)值: 22ns/105ns 测试条件: 400V,12.5A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间(trr): 31ns 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3