GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
商品列表
GHXS020A060S-D1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 600V 20A SOT227
二极管类型: 单相 技术: 碳化硅肖特基 电压-峰值反向（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 20A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 20A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 200µA @ 600V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 600V 20A SOT227
二极管类型: 单相 技术: 碳化硅肖特基 电压-峰值反向（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 20A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 20A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 200µA @ 600V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
;;3.jpeg)
GP2M008A060PG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 23nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1063pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 23nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1063pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GHXS030A060S-D1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 碳化硅肖特基 600V 底座安装 SOT-227
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 碳化硅肖特基 电压-峰值反向（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 30A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 30A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 碳化硅肖特基 600V 底座安装 SOT-227
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 碳化硅肖特基 电压-峰值反向（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 30A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 30A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GP2D030A060B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 30A（DC） TO-247-2
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 30A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 1581pF @ 1V，1MHZ 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 30A（DC） TO-247-2
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 30A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 1581pF @ 1V，1MHZ 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
GSXF120A020S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 200V 120A SOT227
二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 120A 不同If时的电压-正向（Vf: 1V @ 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 100ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 200V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 200V 120A SOT227
二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 120A 不同If时的电压-正向（Vf: 1V @ 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 100ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 200V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GHIS025A120T1P2
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2kV 50A Power Module
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: IGBT 配置: 3 相 电流: 50A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2kV 50A Power Module
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: IGBT 配置: 3 相 电流: 50A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
GP1M011A050HS
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 700毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 28nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1546pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 158W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 700毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 28nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1546pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 158W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP2D010A120U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 1 对共阴极 碳化硅肖特基 1200V 17A（DC） 通孔 TO-247-3
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 17A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.8V @ 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 1200V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 1 对共阴极 碳化硅肖特基 1200V 17A（DC） 通孔 TO-247-3
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 17A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.8V @ 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 1200V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3
GP1M010A080N
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.05 欧姆 @ 5A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 53nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2336pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 312W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.05 欧姆 @ 5A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 53nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2336pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 312W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
GP2M009A090FG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 72nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2740pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 89W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 72nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2740pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 89W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包