MDD
商品列表
SMBJ85CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=78V，VBR=86.7～95.8V，VC=126V
安装类型: SMT 品牌: MDD 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 104V 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4.4A 系列: SMBJ 原产国家: China 额定电压-DC: 85V 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 85V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=78V，VBR=86.7～95.8V，VC=126V
安装类型: SMT 品牌: MDD 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 104V 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4.4A 系列: SMBJ 原产国家: China 额定电压-DC: 85V 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 85V
SS3150-SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 电压:150V 电流:3A SMA(DO-214AC)
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 正向电流: 3A 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 反向漏电流IR: 200µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 150V 反向耐压VR: 150V 平均整流电流: 3A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 高度: 2.20mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 电压:150V 电流:3A SMA(DO-214AC)
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 正向电流: 3A 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 反向漏电流IR: 200µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 150V 反向耐压VR: 150V 平均整流电流: 3A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 高度: 2.20mm
BZT52C75
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: PD=500mW，VF=0.9V，VZ=75V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
二极管配置: 1个独立式 安装类型: SMT 品牌: MDD 稳压值(范围): 71.25V~78.75V 功率耗散: 500mW 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: WB 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 反向漏电流IR: 200nA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 原产国家: China 标准稳压值: 75V 基准电压的容限率: 5% 反向耐压VR: 57V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 1.25mm
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: PD=500mW，VF=0.9V，VZ=75V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
二极管配置: 1个独立式 安装类型: SMT 品牌: MDD 稳压值(范围): 71.25V~78.75V 功率耗散: 500mW 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: WB 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 反向漏电流IR: 200nA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 原产国家: China 标准稳压值: 75V 基准电压的容限率: 5% 反向耐压VR: 57V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 1.25mm
DSF1J
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: SOD-123FL 25A 600V 600V 1A 1.7V 5uA 35ns -55°C~150°C
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.7V 零件状态: Active 高度: 1.30mm 应用: 通用 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: SOD-123FL 25A 600V 600V 1A 1.7V 5uA 35ns -55°C~150°C
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.7V 零件状态: Active 高度: 1.30mm 应用: 通用 引脚数: 2Pin
SS22
供应商: Anychip Mall
分类: SBD肖特基二极管
描述: DO-214AA(SMB) 55A 20V 20V 2A 0.55V 500uA -55°C~125°C
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 正向电流: 2A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 50A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: MDD SS22 正向压降VF: 550mV 封装/外壳: SMA(DO-221AC) 反向漏电流IR: 500nA 工作温度: -60℃~+150℃ 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 20V 反向耐压VR: 20V 平均整流电流: 2A 工作温度-结: -65°C~125°C 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: SBD肖特基二极管
描述: DO-214AA(SMB) 55A 20V 20V 2A 0.55V 500uA -55°C~125°C
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 正向电流: 2A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 50A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: MDD SS22 正向压降VF: 550mV 封装/外壳: SMA(DO-221AC) 反向漏电流IR: 500nA 工作温度: -60℃~+150℃ 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 20V 反向耐压VR: 20V 平均整流电流: 2A 工作温度-结: -65°C~125°C 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV 应用: 通用
LESD3Z5.0C
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
击穿电压 V(BR)-min: 5.6V 峰值脉冲功率: 128W 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 钳位电压 VC: 16V 最大安装高度: 1.00mm 工作温度: -40~+150℃ 安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 结电容值: 15pF@1MHz 峰值脉冲电流（Ipp）: 8A 反向漏电流 IR: 1uA 封装/外壳: SOD323-2 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 5V 电压-断态: 5V 反向击穿电压Min: 5.6V 引脚数: 2Pins 最小包装: 3000pcs 品牌: MDD 是否无铅: Yes
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
击穿电压 V(BR)-min: 5.6V 峰值脉冲功率: 128W 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 钳位电压 VC: 16V 最大安装高度: 1.00mm 工作温度: -40~+150℃ 安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 结电容值: 15pF@1MHz 峰值脉冲电流（Ipp）: 8A 反向漏电流 IR: 1uA 封装/外壳: SOD323-2 极性（单双向）: 双向 工作电压VR-VI(max): 5V 电压-断态: 5V 反向击穿电压Min: 5.6V 引脚数: 2Pins 最小包装: 3000pcs 品牌: MDD 是否无铅: Yes
RS1G-SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=400V IF=1A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 总电容C: 15pF 正向压降VF: 1.3V 长x宽/尺寸: 4.25 x 2.67mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: RS1AG - RS1MG 原产国家: China 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 1A 反向恢复时间(trr): 150ns 高度: 2.14mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=400V IF=1A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 总电容C: 15pF 正向压降VF: 1.3V 长x宽/尺寸: 4.25 x 2.67mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: RS1AG - RS1MG 原产国家: China 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 1A 反向恢复时间(trr): 150ns 高度: 2.14mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
SMBJ16CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=16V，VBR=17.8～19.7V，VC=26V
安装类型: SMT 钳位电压: 26V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1uA@16V 击穿电压: 19.7V 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 16V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 23.1A 额定电压-DC: 16V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 2.44mm 结电容: - 零件状态: Active 击穿电压 -min: 16V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=16V，VBR=17.8～19.7V，VC=26V
安装类型: SMT 钳位电压: 26V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1uA@16V 击穿电压: 19.7V 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 16V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 23.1A 额定电压-DC: 16V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 2.44mm 结电容: - 零件状态: Active 击穿电压 -min: 16V 引脚数: 2Pin
SMBJ24A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=24V，VBR=26.7～29.5V，VC=38.9V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 26.7V 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 24V 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 15.5A 系列: SMBJ 额定电压-DC: 24V 通道数: 1 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 24V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=24V，VBR=26.7～29.5V，VC=38.9V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 26.7V 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 24V 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 15.5A 系列: SMBJ 额定电压-DC: 24V 通道数: 1 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 24V 类型: TVS
SMAJ75A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=400W，VRM=75V，VBR=83.3～92.1V，VC=121V
安装类型: SMT 品牌: MDD 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 92.1V 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 反向断态电压: 75V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.3A 系列: SMAJ 原产国家: China 额定电压-DC: 75V 通道数: 1 高度: 2.42mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 75V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=400W，VRM=75V，VBR=83.3～92.1V，VC=121V
安装类型: SMT 品牌: MDD 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 92.1V 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 反向断态电压: 75V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.3A 系列: SMAJ 原产国家: China 额定电压-DC: 75V 通道数: 1 高度: 2.42mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 75V