PRISEMI

PPMT20V4E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

PSBD1DF60V1H
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：550mV@1A

PNM3FD201E0
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

PESDSC2FD5VU
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：5.4V 钳位电压(Vc)@Ipp：16V

PDTC114TE
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@1mA,5V

PESDHC3D3V3U
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：3.3V 击穿电压(最小值)：5V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：15A@80/20μs 最大钳位电压：9V

PTVSHC3N15VU
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS 二极管 VRWM=15V VBR(Min)=16V VC=34V IPP=130A Ppp=4.4KW DFN3L
安装类型: SMT 钳位电压: 34V 品牌: Prisemi 功率-峰值脉冲: 4.4KW 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.10 x 2.10mm 反向断态电压: 15V 封装/外壳: DFN-3(2x2) 元件生命周期: Active 峰值脉冲电流（Ipp）: 130A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 高度: 0.65mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 16V 引脚数: 3Pin

SMBJ26A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：26V 击穿电压：28.9V 最大钳位电压：42.1V

PESDNC2FD12VU
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件

PESDNC2FD3V3BS
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：3.3V 击穿电压(最小值)：4.5V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：5A@80/20μs 最大钳位电压：10.5V