PRISEMI
商品列表
SMAJ24CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SMA SMT 24V 38.9V
安装类型: SMT 钳位电压: 38.9V 品牌: Prisemi 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 29.5V 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 功率-峰值脉冲: 400W@10/1000μs 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.3A 击穿电压Max: 29.5V 高度: 2.30mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V 类型: TVS 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SMA SMT 24V 38.9V
安装类型: SMT 钳位电压: 38.9V 品牌: Prisemi 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 29.5V 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 功率-峰值脉冲: 400W@10/1000μs 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.3A 击穿电压Max: 29.5V 高度: 2.30mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V 类型: TVS 引脚数: 2Pin
PPM723T201E0
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs SOT723 VDS=20V PD=150mW
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 功率耗散: 150mW 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 800mA 长x宽/尺寸: 1.20 x 0.80mm 封装/外壳: SOT-723-3 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 110pF 反向传输电容Crss: 5pF 栅极源极击穿电压: ±10V 配置: 单路 最小包装: 10000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 450mΩ 高度: 0.44mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs SOT723 VDS=20V PD=150mW
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 功率耗散: 150mW 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 800mA 长x宽/尺寸: 1.20 x 0.80mm 封装/外壳: SOT-723-3 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 110pF 反向传输电容Crss: 5pF 栅极源极击穿电压: ±10V 配置: 单路 最小包装: 10000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 450mΩ 高度: 0.44mm 引脚数: 3Pin
PTVSHC3N18VUH
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：18V 击穿电压(最小值)：19V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：138A@80/20μs 最大钳位电压：33V
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：18V 击穿电压(最小值)：19V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：138A@80/20μs 最大钳位电压：33V
PSBD1DF20V3H
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：550mV@1A 反向电流(Ir)：500μA@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 20V,3A,VF=0.5V@1A
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：550mV@1A 反向电流(Ir)：500μA@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 20V,3A,VF=0.5V@1A