ON
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MC33172DR2G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用放大器
描述: 运算放大器，单电源3.0 V至44 V，低功耗
电源抑制比(PSRR): 100dB 品牌: ON CMRR - 共模抑制比: 90dB 工作电流: 220µA 放大器类型: General Purpose 输入失调电压（Max）: 2mV 每个通道的输出电流: 27mA 压摆率: 2.1V/μs -3db 带宽: - 包装: Tape/Reel 电源电流（静态，全通道）: 220μA 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 输出类型: - 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -40~+85℃ 增益带宽积（GBP）: 1.8MHz 电源电压，单/双（±）: 3~44V,±1.5~±22V 通道数: 2Channel 输入偏置电流: 20nA
供应商: Anychip Mall
分类: 通用放大器
描述: 运算放大器，单电源3.0 V至44 V，低功耗
电源抑制比(PSRR): 100dB 品牌: ON CMRR - 共模抑制比: 90dB 工作电流: 220µA 放大器类型: General Purpose 输入失调电压（Max）: 2mV 每个通道的输出电流: 27mA 压摆率: 2.1V/μs -3db 带宽: - 包装: Tape/Reel 电源电流（静态，全通道）: 220μA 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 输出类型: - 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -40~+85℃ 增益带宽积（GBP）: 1.8MHz 电源电压，单/双（±）: 3~44V,±1.5~±22V 通道数: 2Channel 输入偏置电流: 20nA
BAS21HT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 二极管配置: 单路 安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: -55℃~+150℃ 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 二极管类型: 标准 反向峰值电压（最大值）: 250V 反向耐压VR: 250V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 工作温度-结: -55°C~150°C 反向恢复时间(trr): 50ns 高度: 0.90mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 二极管配置: 单路 安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: -55℃~+150℃ 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 二极管类型: 标准 反向峰值电压（最大值）: 250V 反向耐压VR: 250V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 工作温度-结: -55°C~150°C 反向恢复时间(trr): 50ns 高度: 0.90mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
BSS138LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 50V 200mA SOT-23
安装类型: SMT 功率耗散: 225mW 阈值电压: 1.5V@1mA 栅源电压 Vgss: ±20V 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 200mA（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V FET类型: N沟道 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 3.5pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 50pF@25V 漏源电压(Vdss): 50V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 50V 200mA SOT-23
安装类型: SMT 功率耗散: 225mW 阈值电压: 1.5V@1mA 栅源电压 Vgss: ±20V 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 200mA（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V FET类型: N沟道 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 3.5pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 50pF@25V 漏源电压(Vdss): 50V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
MMDL914T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 开关二极管 VR=100V IF=200mA Trr=4ns P=200mW SOD323
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 36A 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 5µA 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 原产国家: America 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 二极管类型: 标准 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 200mA 功率耗散（最大值）: 200mW 工作温度-结: -55°C~150°C 反向恢复时间(trr): 4ns 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 开关二极管 VR=100V IF=200mA Trr=4ns P=200mW SOD323
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 36A 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 5µA 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 原产国家: America 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 二极管类型: 标准 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 200mA 功率耗散（最大值）: 200mW 工作温度-结: -55°C~150°C 反向恢复时间(trr): 4ns 零件状态: Active