SLKOR
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SL27511
供应商: Anychip Mall
分类: 栅极驱动
描述: 24V 4A 拉电流、8A 灌电流 单通道驱动器
安装类型: SMT 特性: 欠压保护(UVP) 品牌: Slkor 电源电压: 4.5V~20V 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 工作电压: 4.5V~20V 峰值拉电流: 4A 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 上升/下降时间: 6,4.5ns 原产国家: China 输出电流: 4A 峰值灌电流: 8A 通道数: 1 输出电压: 24V 高度: 1.10mm 负载类型: MOSFET；IGBT 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 栅极驱动
描述: 24V 4A 拉电流、8A 灌电流 单通道驱动器
安装类型: SMT 特性: 欠压保护(UVP) 品牌: Slkor 电源电压: 4.5V~20V 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 工作电压: 4.5V~20V 峰值拉电流: 4A 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 上升/下降时间: 6,4.5ns 原产国家: China 输出电流: 4A 峰值灌电流: 8A 通道数: 1 输出电压: 24V 高度: 1.10mm 负载类型: MOSFET；IGBT 引脚数: 6Pin
SL2305
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250μA 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 600pF Vgs(Max): ±10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): - 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250μA 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 600pF Vgs(Max): ±10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): - 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
BTA06-800B(TO-220)
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: 晶闸管 TO-220 5V 6A 双向可控硅
安装类型: 插件 品牌: Slkor 通态电流 It: 6 A 断态电压: - 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing Vrrm反向重复峰值电压: 800V 长x宽/尺寸: 10.40 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 门极触发电流: 100mA 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 原产国家: China 通道数: 1 最小包装: 50pcs 门极触发电压: 5V 可控硅类型: TRIAC 高度: 16.30mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: 晶闸管 TO-220 5V 6A 双向可控硅
安装类型: 插件 品牌: Slkor 通态电流 It: 6 A 断态电压: - 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing Vrrm反向重复峰值电压: 800V 长x宽/尺寸: 10.40 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 门极触发电流: 100mA 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 原产国家: China 通道数: 1 最小包装: 50pcs 门极触发电压: 5V 可控硅类型: TRIAC 高度: 16.30mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
TIP122
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 达林顿功率晶体管（NPN）
安装类型: 插件 功率耗散: 65W 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.54 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 200μA@100V 集电极电流 Ic: 5A 原产国家: China 最小包装: 50pcs 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 4 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 达林顿功率晶体管（NPN）
安装类型: 插件 功率耗散: 65W 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.54 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 200μA@100V 集电极电流 Ic: 5A 原产国家: China 最小包装: 50pcs 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 4 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
S3M
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=1KV If=3A VF=1.15V CJ=60pF SMB
安装类型: SMT 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.15V@3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: Austria 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 2.5µs 正向压降VF Max: 1.15V 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=1KV If=3A VF=1.15V CJ=60pF SMB
安装类型: SMT 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.15V@3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: Austria 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 2.5µs 正向压降VF Max: 1.15V 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
SLPESD0402-14
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 VC=40V Vdc=14V 0402
安装类型: SMT 钳位电压: 40V 品牌: Slkor 最大工作电压(DC): 14V 电源电压: 14V 原始制造商: Shenzhen Sikormicro Semicon Co, Ltd 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.10 x 0.52mm 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 系列: Original 原产国家: China 通道数: 1 高度: 0.38mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: - 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 VC=40V Vdc=14V 0402
安装类型: SMT 钳位电压: 40V 品牌: Slkor 最大工作电压(DC): 14V 电源电压: 14V 原始制造商: Shenzhen Sikormicro Semicon Co, Ltd 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.10 x 0.52mm 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 系列: Original 原产国家: China 通道数: 1 高度: 0.38mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: - 类型: ESD
MMBTA06
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 驱动晶体管NPN硅
安装类型: SMT 品牌: Slkor 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 额定功率: 225mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 驱动晶体管NPN硅
安装类型: SMT 品牌: Slkor 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 额定功率: 225mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 3Pin
SL18N50F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=18A RDS(ON)=320mΩ@10V TO220F
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 功率耗散: 60W 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.60 x 4.95mm 封装/外壳: TO-220F 反向传输电容Crss: 25pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 45nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 500V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=18A RDS(ON)=320mΩ@10V TO220F
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 功率耗散: 60W 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.60 x 4.95mm 封装/外壳: TO-220F 反向传输电容Crss: 25pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 45nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 500V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 类型: 1个N沟道
SL11N65CF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 击穿电压: 650V 阈值电压: 4V@250μA 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 包装: Tube packing 连续漏极电流: 11.5A 封装/外壳: TO-220F 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 1.8pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 输入电容: 870pF Vgs(Max): ±30V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 19nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 击穿电压: 650V 阈值电压: 4V@250μA 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 包装: Tube packing 连续漏极电流: 11.5A 封装/外壳: TO-220F 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 1.8pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 输入电容: 870pF Vgs(Max): ±30V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 19nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
BCP51-16
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 SOT223 PNP 45V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 1.5W 额定功率: 1.5W 集射极击穿电压Vce(Max): 45V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 45V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 1A 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.60mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): - 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 SOT223 PNP 45V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 1.5W 额定功率: 1.5W 集射极击穿电压Vce(Max): 45V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 45V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 1A 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.60mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): - 引脚数: 4Pin