TECHCODE
商品列表
TD1837
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 输入电压:80V 输出电流(最大值):2A 输入电压(V) 80V 最大电流(A) 2A 开关频率(Hz) 200KHz-1MHz
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 输入电压:80V 输出电流(最大值):2A 输入电压(V) 80V 最大电流(A) 2A 开关频率(Hz) 200KHz-1MHz
TDM3436
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 25 导通电阻(mΩ) 3.1 输入电容(Ciss) 2650 反向传输电容Crss(pF) 88 栅极电荷(Qg) 39
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 25 导通电阻(mΩ) 3.1 输入电容(Ciss) 2650 反向传输电容Crss(pF) 88 栅极电荷(Qg) 39
TD1509PRR
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 2A 150KHz PWM降压型直流/直流变换器
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TECHCODE 拓扑结构: 降压 原始制造商: Techcode Semiconductor, Inc. 工作电压: 3.6V~45V 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 可调 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 功能: 降压 原产国家: China 输出电流: 50μA 最小包装: 2500pcs 开关频率: 150KHz 输出电压: 1.23V~45V 内置开关管: 内置 输出通道数: 1 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 2A 150KHz PWM降压型直流/直流变换器
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TECHCODE 拓扑结构: 降压 原始制造商: Techcode Semiconductor, Inc. 工作电压: 3.6V~45V 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 可调 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 功能: 降压 原产国家: China 输出电流: 50μA 最小包装: 2500pcs 开关频率: 150KHz 输出电压: 1.23V~45V 内置开关管: 内置 输出通道数: 1 引脚数: 8Pin
TD1489
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 40Vin 6A双输出降压转换器
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: TECHCODE 拓扑结构: 降压 原始制造商: Techcode Semiconductor, Inc. 工作电压: 40V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.00 x 5.00mm 输出类型: Adjustable 封装/外壳: QFN32 元件生命周期: Active 功能: 降压 原产国家: China 输出电流: 6A 最小包装: 2500pcs 开关频率: 125KHz 内置开关管: 内置 输出电压: 3V~28V 输出通道数: 1 引脚数: 32Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 40Vin 6A双输出降压转换器
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: TECHCODE 拓扑结构: 降压 原始制造商: Techcode Semiconductor, Inc. 工作电压: 40V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.00 x 5.00mm 输出类型: Adjustable 封装/外壳: QFN32 元件生命周期: Active 功能: 降压 原产国家: China 输出电流: 6A 最小包装: 2500pcs 开关频率: 125KHz 内置开关管: 内置 输出电压: 3V~28V 输出通道数: 1 引脚数: 32Pin
TDM31056
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):43A 功率(Pd):52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA N沟道 100V 18.2mΩ@4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):43A 功率(Pd):52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA N沟道 100V 18.2mΩ@4.5V