MATSUKI
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ME3587-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 功率(Pd)：1.18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@4.5V,3.4A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 功率(Pd)：1.18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@4.5V,3.4A
ME9435A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: ME9435A
封装/外壳: SOP-8 反向传输电容Crss: 35pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 阈值电压: 3V@250μA 输入电容: 840pF@15V 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 31mΩ@10V,5.3A 漏源电压(Vdss): 30V 极性: 1个P沟道 连续漏极电流: 6.3A 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: ME9435A
封装/外壳: SOP-8 反向传输电容Crss: 35pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 阈值电压: 3V@250μA 输入电容: 840pF@15V 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 31mΩ@10V,5.3A 漏源电压(Vdss): 30V 极性: 1个P沟道 连续漏极电流: 6.3A 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 类型: 1个P沟道
ME50N75T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,30A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,30A