MATSUKI
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ME3587-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 功率(Pd)：1.18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@4.5V,3.4A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 功率(Pd)：1.18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@4.5V,3.4A
ME9435A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 1个P沟道 30V 6.3A SOP-8
安装类型: SMT 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 31mΩ@10V,5.3A 极性: 1个P沟道 连续漏极电流: 6.3A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP-8 反向传输电容Crss: 35pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 840pF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 高度: 1.55mm 类型: 1个P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 1个P沟道 30V 6.3A SOP-8
安装类型: SMT 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 31mΩ@10V,5.3A 极性: 1个P沟道 连续漏极电流: 6.3A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP-8 反向传输电容Crss: 35pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 840pF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 高度: 1.55mm 类型: 1个P沟道 引脚数: 8Pin
ME50N75T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,30A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,30A