MATSUKI
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ME4925
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,7.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：37nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.49nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：183pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,7.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：37nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.49nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：183pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
ME2306D-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：1.39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,6.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：370pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：21pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：1.39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,6.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：370pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：21pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
ME2309-G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道，60V（D-S）MOSFET
封装/外壳: SOT-23 输入电容: 358pF@30V 漏源电压(Vdss): 60V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.9A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道，60V（D-S）MOSFET
封装/外壳: SOT-23 输入电容: 358pF@30V 漏源电压(Vdss): 60V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.9A
ME7839S-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36.1A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,12A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36.1A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,12A