PJSEMI
商品列表
PJ8205
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs):9.5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):550pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):64pF@10V 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs):9.5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):550pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):64pF@10V 工作温度:+150℃@(Tj)
MMBT9013H
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:30V 电流:500mA NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):30V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):400@50mA,1V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:30V 电流:500mA NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):30V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):400@50mA,1V
FMMT591
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
LMV321
供应商: Anychip Mall
分类: 运算放大器
描述: 放大器组数:1 输入偏置电流(Ib):10pA 输入失调电压(Vos):800uV 增益带宽积(GBP):1MHz 压摆率(SR):0.52V/us 轨到轨:轨到轨输出
供应商: Anychip Mall
分类: 运算放大器
描述: 放大器组数:1 输入偏置电流(Ib):10pA 输入失调电压(Vos):800uV 增益带宽积(GBP):1MHz 压摆率(SR):0.52V/us 轨到轨:轨到轨输出
MMBT3904
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN 40V 200mA
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN 40V 200mA