PJSEMI
商品列表
MMBT8050C-1.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:25V 电流:1.5A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1.5A 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:25V 电流:1.5A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1.5A 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V
PJM2319PSA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:40V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):3.1A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:40V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):3.1A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
MMBT9012H
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:30V 电流:500mA PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):30V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):400@50mA,1V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:30V 电流:500mA PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):30V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):400@50mA,1V
MMBTRC116SS
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: 晶体管类型:NPN - 预偏压 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,300mV 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100μA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA/500μA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V 特征频率(fT):250MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: 晶体管类型:NPN - 预偏压 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,300mV 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100μA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA/500μA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V 特征频率(fT):250MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
BCX56SQ-16
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:80V 电流:1A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率(Pd):1.3W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@150mA,2V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:80V 电流:1A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率(Pd):1.3W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@150mA,2V