JSCJ
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SS120
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SMAG塑料封装二极管
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 30A 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 950mV@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 反向漏电流IR: 100µA 封装/外壳: SMAG 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 1A 最小包装: 5000pcs 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SMAG塑料封装二极管
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 30A 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 950mV@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 反向漏电流IR: 100µA 封装/外壳: SMAG 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 1A 最小包装: 5000pcs 零件状态: Active
BCX56-10
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT89-3L 1A 130MHz 500mW
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 500mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 80V 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELEC TECH. 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 130MHz 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+125℃ 集电极电流 Ic: 1A 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 63~160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT89-3L 1A 130MHz 500mW
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 500mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 80V 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELEC TECH. 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 130MHz 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+125℃ 集电极电流 Ic: 1A 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 63~160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
BC846W
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：0.1A 功率(Pd)：150mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 150mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 65V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 250mV 极性: NPN 封装/外壳: SOT-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: Austria 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 零件状态: Active 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：0.1A 功率(Pd)：150mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 150mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 65V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 250mV 极性: NPN 封装/外壳: SOT-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: Austria 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 零件状态: Active 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2N4401
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=600mA Vceo=40V hfe=100~300 P=625mW TO92
安装类型: DIP 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 极性: NPN 集电极与基极之间电压 VCBO: 60V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO92 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100~300 Vce饱和压降(Max): 750mV 高度: 4.70mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=600mA Vceo=40V hfe=100~300 P=625mW TO92
安装类型: DIP 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 极性: NPN 集电极与基极之间电压 VCBO: 60V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO92 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100~300 Vce饱和压降(Max): 750mV 高度: 4.70mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
S9013-TAH(144-202)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-92塑料封装晶体管 NPN 0.6V 500mA
安装类型: 插件 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 40V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Box packing Vce饱和压降: 0.6V 极性: NPN 长x宽/尺寸: - 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO92 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 2000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 40~400 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-92塑料封装晶体管 NPN 0.6V 500mA
安装类型: 插件 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 40V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Box packing Vce饱和压降: 0.6V 极性: NPN 长x宽/尺寸: - 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO92 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 2000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 40~400 引脚数: 3Pin
BAT54SDW
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOT363肖特基势垒二极管阵列VR=30V Io=200mA VF=1V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 600mA 总电容C: 10pF 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@100mA 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SOT363 元件生命周期: Active 工作温度: +125℃ 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOT363肖特基势垒二极管阵列VR=30V Io=200mA VF=1V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 600mA 总电容C: 10pF 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@100mA 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SOT363 元件生命周期: Active 工作温度: +125℃ 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active
BAV19WS
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: 开关二极管VRMS=71V Trr=50ns Pd=250mW SOD323
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 2A 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@200mA 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF Max: 1.25V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: 开关二极管VRMS=71V Trr=50ns Pd=250mW SOD323
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 2A 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@200mA 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF Max: 1.25V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
SS14F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SMAF塑料封装二极管
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 反向漏电流IR: 500µA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs Vf正向峰值电压: 550mV 正向压降VF Max: 550mV 高度: 1.20mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SMAF塑料封装二极管
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 反向漏电流IR: 500µA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs Vf正向峰值电压: 550mV 正向压降VF Max: 550mV 高度: 1.20mm 引脚数: 2Pin
2SA1015Y(120-240)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 功率耗散: 400mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 50V 集电极-基极电压（VCBO）: -50V 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 包装: Bag Packing Vce饱和压降: 300mV 极性: PNP 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 配置: 单路 应用等级: Industrial 发射极基极导通电压VBE(on): -1.1V 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 高度: 4.70mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 功率耗散: 400mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 50V 集电极-基极电压（VCBO）: -50V 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 包装: Bag Packing Vce饱和压降: 300mV 极性: PNP 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 配置: 单路 应用等级: Industrial 发射极基极导通电压VBE(on): -1.1V 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 高度: 4.70mm 引脚数: 3Pin
2SA1015GR(200-400)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW
安装类型: 插件 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 50V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: -50V 包装: Bag Packing Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 极性: PNP 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.70mm 封装/外壳: TO92-3 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 零件状态: Active 高度: 4.70mm 应用: Consumer, Industrial 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW
安装类型: 插件 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 50V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: -50V 包装: Bag Packing Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 极性: PNP 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.70mm 封装/外壳: TO92-3 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 零件状态: Active 高度: 4.70mm 应用: Consumer, Industrial 引脚数: 3Pin