JSCJ
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SS120
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SMAG塑料封装二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 30A 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 950mV@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 100μA 封装/外壳: SMAG 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 1A 最小包装: 5000pcs Vf正向峰值电压: 950mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SMAG塑料封装二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 30A 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 950mV@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 100μA 封装/外壳: SMAG 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 1A 最小包装: 5000pcs Vf正向峰值电压: 950mV 零件状态: Active
BCX56-10
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 80V 1A SOT-89-3L
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 跃迁频率: 130MHz 集射极击穿电压Vceo: 80V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 工作温度: -25℃~+125℃ 集电极电流 Ic: 1A 最小包装: 1000pcs 特征频率(fT): 130MHz 认证信息: RoHS 高度: 1.60mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 63~160
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 80V 1A SOT-89-3L
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 跃迁频率: 130MHz 集射极击穿电压Vceo: 80V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 工作温度: -25℃~+125℃ 集电极电流 Ic: 1A 最小包装: 1000pcs 特征频率(fT): 130MHz 认证信息: RoHS 高度: 1.60mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 63~160
BC846W
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：0.1A 功率(Pd)：150mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 150mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 65V 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 250mV 集射极击穿电压Vceo: 65V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 65V 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: Austria 特征频率(fT): 100MHz 高度: 0.90mm 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：0.1A 功率(Pd)：150mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 150mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 65V 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 250mV 集射极击穿电压Vceo: 65V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 65V 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: Austria 特征频率(fT): 100MHz 高度: 0.90mm 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2N4401
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=600mA Vceo=40V hfe=100~300 P=625mW TO92
安装类型: 插件 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD 额定功率: 625mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 750mV 极性: NPN 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 高度: 4.70mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100~300 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=600mA Vceo=40V hfe=100~300 P=625mW TO92
安装类型: 插件 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD 额定功率: 625mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 750mV 极性: NPN 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 高度: 4.70mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100~300 引脚数: 3Pin
S9013-TAH(144-202)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-92塑料封装晶体管 NPN 0.6V 500mA
安装类型: 插件 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 40V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 40V 包装: Box packing Vce饱和压降: 0.6V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 25V 封装/外壳: TO92 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 2000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: - DC电流增益(hFE): 40~400 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-92塑料封装晶体管 NPN 0.6V 500mA
安装类型: 插件 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 40V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 40V 包装: Box packing Vce饱和压降: 0.6V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 25V 封装/外壳: TO92 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 2000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: - DC电流增益(hFE): 40~400 引脚数: 3Pin
BAT54SDW
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOT363肖特基势垒二极管阵列VR=30V Io=200mA VF=1V
安装类型: SMT 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@100mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 反向击穿电压: 30V 封装/外壳: SOT363 反向漏电流IR: 2µA 工作温度: +125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 功率耗散（最大值）: 200mW 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active 高度: 1.10mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOT363肖特基势垒二极管阵列VR=30V Io=200mA VF=1V
安装类型: SMT 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@100mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 反向击穿电压: 30V 封装/外壳: SOT363 反向漏电流IR: 2µA 工作温度: +125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 功率耗散（最大值）: 200mW 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active 高度: 1.10mm
BAV19WS
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 开关二极管VRMS=71V Trr=50ns Pd=250mW SOD-323
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率: 250mW 总电容C: 5pF 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@200mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 100nA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 200mA 反向恢复时间(trr): 50ns 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 开关二极管VRMS=71V Trr=50ns Pd=250mW SOD-323
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率: 250mW 总电容C: 5pF 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@200mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 100nA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 200mA 反向恢复时间(trr): 50ns 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin
SS14F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SMAF塑料封装二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 30A 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs Vf正向峰值电压: 550mV 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SMAF塑料封装二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 30A 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV@1A 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs Vf正向峰值电压: 550mV 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
2SA1015Y(120-240)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW
安装类型: 插件 功率耗散: 400mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd Vce饱和压降: 300mV 包装: Bag Packing 集射极击穿电压Vceo: 50V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 150mA 配置: 单路 原产国家: China 应用等级: Industrial 发射极基极导通电压VBE(on): -1.1V 高度: 4.70mm 零件状态: Active 应用: Consumer, Industrial
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW
安装类型: 插件 功率耗散: 400mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd Vce饱和压降: 300mV 包装: Bag Packing 集射极击穿电压Vceo: 50V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 150mA 配置: 单路 原产国家: China 应用等级: Industrial 发射极基极导通电压VBE(on): -1.1V 高度: 4.70mm 零件状态: Active 应用: Consumer, Industrial
2SA1015GR(200-400)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 功率耗散: 400mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Bag Packing Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vceo: 50V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 150mA 配置: 单路 原产国家: China 应用等级: Industrial 发射极基极导通电压VBE(on): -1.1V 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 应用: Consumer, Industrial 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 功率耗散: 400mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Bag Packing Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vceo: 50V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 150mA 配置: 单路 原产国家: China 应用等级: Industrial 发射极基极导通电压VBE(on): -1.1V 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 应用: Consumer, Industrial 引脚数: 3Pin