MASPOWER
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MS4N1350S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.5kV 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 超高压MOS管
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.5kV 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 超高压MOS管
MS4N1350
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 超高压MOSFET
封装/外壳: TO-3PH 反向传输电容Crss: 19.8pF 工作温度: -50℃~+150℃ 阈值电压: 6V@250μA 输入电容: 1.408nF 额定功率: 140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.8Ω@10V,1.3A 漏源电压(Vdss): 1.5KV 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 栅极电荷(Qg): 44nC 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 超高压MOSFET
封装/外壳: TO-3PH 反向传输电容Crss: 19.8pF 工作温度: -50℃~+150℃ 阈值电压: 6V@250μA 输入电容: 1.408nF 额定功率: 140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.8Ω@10V,1.3A 漏源电压(Vdss): 1.5KV 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 栅极电荷(Qg): 44nC 类型: 1个N沟道
MS12N100FC
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1kV 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):272W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.18Ω@10V,6A 超高压MOS管
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1kV 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):272W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.18Ω@10V,6A 超高压MOS管
MS12N120HGC0
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,1A 超高压MOS管
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,1A 超高压MOS管