CBI
The CBI-electric Group under the auspices of Reunert Holdings which is a leading South African company listed on the JSE in the industrial goods and services (electronic and electrical equipment) sectors. Reunert manages a number of businesses focused on electronics and electrical engineering and regularly ranks among the country's top companies.
商品列表
BAV70
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: SOT23 225mW
二极管配置: 1对共阴极 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: CBI 原始制造商: China Base International Enterprises Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@150mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 2.5µA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 反向耐压VR: 70V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 2A 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 225mW 反向恢复时间(trr): 6ns 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: SOT23 225mW
二极管配置: 1对共阴极 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: CBI 原始制造商: China Base International Enterprises Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@150mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 2.5µA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 反向耐压VR: 70V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 2A 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 225mW 反向恢复时间(trr): 6ns 零件状态: Active
BZX84C30
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管,SOT23-3
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 热阻: 417℃/W 品牌: CBI 功率: 350mW 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 50nA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: BZX84C 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 高度: 1.40mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管,SOT23-3
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 热阻: 417℃/W 品牌: CBI 功率: 350mW 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 50nA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: BZX84C 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 高度: 1.40mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
BAV23SEPY
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：1对串联式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：400mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向恢复时间(trr)：50ns
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：1对串联式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：400mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向恢复时间(trr)：50ns
MMBT2222A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT23-3,NPN,VCEO=40V,600mA
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 250mW 额定功率: 250mW 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 原产国家: China 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100@150mA,10V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT23-3,NPN,VCEO=40V,600mA
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 250mW 额定功率: 250mW 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 原产国家: China 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100@150mA,10V 引脚数: 3Pin
MMBT5551TG1
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,5V G1(G1表示丝印)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,5V G1(G1表示丝印)
RB520S-30B
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：600mV@200mA B(B表示丝印)
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：600mV@200mA B(B表示丝印)
MM3Z7V51Y
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：7.5V 稳压值(范围)：7V~7.9V 精度：±5% 功率：300mW 反向电流(Ir)：500nA@4V 阻抗(Zzt)：30Ω 1Y(1Y表示丝印)
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：7.5V 稳压值(范围)：7V~7.9V 精度：±5% 功率：300mW 反向电流(Ir)：500nA@4V 阻抗(Zzt)：30Ω 1Y(1Y表示丝印)
2SC4617RBR
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@1mA,6V BR(BR表示丝印)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@1mA,6V BR(BR表示丝印)
BAV99TJE
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：1对串联式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：75mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：1对串联式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：75mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns